Intel Presenta Nueva Tecnología de Procesamiento de 22 Nanómetros

Intel Presenta Nueva Tecnología de Procesamiento de 22 Nanómetros

INTEL DEVELOPER FORUM, San Francisco, 23 de septiembre de 2009 — Intel Corporation está celebrando su evento anual Intel Developer Forum (IDF) en San Francisco, California, del 22 al 24 de septiembre.

Durante el primer día de actividades, Paul Otellini, Presidente y CEO de Intel, mostró los primeros chips en funcionamiento del mundo construidos con la tecnología de procesamiento de 22 nanómetros (nm). Con esto, Intel continúa trabajando incansablemente para seguir haciendo realidad la Ley de Moore para  brindar más y mejores beneficios a los usuarios finales.

Marcando la tercera generación de transistores de high-k metal gate, este evento llega dos años después de que Intel mostrara circuitos de prueba en funcionamiento de la generación previa de 32 nm demostrando así que la Ley de Moore continúa vigente. Dejando atrás aquellas  predicciones que establecían que la industria de procesadores llegaría a un límite de innovación.

A continuación un breve resumen de lo presentado durante el día 1:

·         Intel está ahora en pleno desarrollo de la tecnología de 22 nm y trabaja a buen ritmo para continuar con su modelo de “tic-toc” hacia la próxima generación de tecnología de procesamiento.

·         Los circuitos de prueba de 22 nm incluyen tanto la memoria SRAM como los circuitos lógicos que se usarán en los microprocesadores de 22 nm.

·         Las SRAMs se usan como vehículos de prueba para mostrar el desempeño de esta tecnología, el proceso de producción y la fiabilidad del chip antes de comenzar a producir los procesadores y otros chips lógicos que usarán el proceso de fabricación.

·         Las células de SRAM de 0.108 y 0.092 micrómetros cuadrados funcionan en una matriz que totaliza 364 millones de bits. La célula de 0.108 micrómetros cuadrados está optimizada para operar con bajo voltaje. La célula de 0.092 micrómetros cuadrados está optimizada para soportar una alta densidad y es la célula de SRAM más pequeña en circuitos en funcionamiento conocida hasta la fecha.  El chip de prueba contiene 2,900 millones de transistores, con una densidad de aproximadamente el doble de la previa generación de 32 nm, en un área tan pequeña como una uña.

·         Las dimensiones de 22 nm se moldean con herramientas de exposición que usan luz con una longitud de onda de 193 nm, prueba de la innovación de los ingenieros de litografía de Intel.

·         Esta tecnología de 22 nm continúa desarrollando la promesa de la Ley de Moore: desarrollar transistores más pequeños con un desempeño mejorado a un costo más bajo y con menos vatios por transistor.

Para mayor información sobre anuncios, lanzamientos y toda la información generada en el Intel Developer Forum ingresa a: www.intel.com/pressroom/idf

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