Procesadores
Intel y Micron amplían el liderazgo tecnológico en Flash NAND y lanzan el procesamiento de 20 nanómetros más pequeño y más avanzado de la industria
El nuevo dispositivo de 8 gigabytes, en 20 nanómetros (nm), logra el rendimiento más elevado en el formato más pequeño para tablets, teléfonos inteligentes, SSDs y otros dispositivos
Intel y Micron amplían el liderazgo tecnológico en Flash NAND y lanzan el procesamiento de 20 nanómetros más pequeño y más avanzado de la industria
El nuevo dispositivo de 8 gigabytes, en 20 nanómetros (nm), logra el rendimiento más elevado en el formato más pequeño para tablets, teléfonos inteligentes, SSDs y otros dispositivos
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· Intel y Micron ofrecen el proceso tecnológico flash NAND de 20 nm, el más pequeño y más avanzado de la industria.
· IM Flash Technologies lidera la industria con el proceso de 20 nm El dispositivo MLC NAND de 8GB mide tan sólo 118mm2 y proporciona una alta capacidad para teléfonos inteligentes, tablets, SSDs y más.
México, D.F. a 24 de mayo de 2011 – Intel Corporation y Micron Technology Inc. lanzaron una nueva tecnología de procesamiento de 20 nanómetros (nm), para la fabricación de memoria flash NAND. Esta capacidad de procesamiento produce un dispositivo Flash NAND de célula multinivel (MLC, por sus siglas en inglés de "multi-level cell"), que ofrece una opción de almacenamiento para archivos de música, video, libros y otros datos en teléfonos inteligentes, tablets y soluciones de cómputo como unidades de estado sólido (SSDs, del inglés "Solid-State Drives").
El crecimiento en almacenamiento de datos, combinado con mejoras en las características de las tablets y de los teléfonos inteligentes, está creando nuevas demandas para la tecnología flash NAND, especialmente una mayor capacidad en diseños más pequeños.
El nuevo dispositivo de 8 GB en 20 nm mide sólo 118 mm2 y permite una reducción de un 30 a un 40 por ciento en el espacio de la placa base (dependiendo del tipo de paquete) en comparación con el dispositivo NAND anterior de la compañía, de 8 GB, en 25 nm. Una reducción en el diseño de almacenamiento flash proporciona una mayor eficiencia a nivel sistema, ya que les permite a los fabricantes de tablets y teléfonos inteligentes utilizar el espacio adicional para mejoras en el producto final, como una batería más grande, una pantalla más amplia o la adición de otro chip para manejar nuevas características.
Fabricado conjuntamente por IM Flash Technologies, a través del IMFT, proyecto de riesgo compartido en memoria Flash NAND de Intel y Micron, el nuevo dispositivo de 8 GB en 20 nm es un gran avance en diseño de tecnología y proceso NAND, que amplía el liderazgo de la empresa en litografía. La disminución de la litografía NAND a este nodo de tecnología es el método más rentable para aumentar la producción de las fábricas, ya que proporciona una capacidad en gigabytes aproximadamente un 50 por ciento mayor, en comparación con la tecnología actual. El nuevo proceso de 20 nm mantiene un desempeño y una resistencia similar a la anterior generación de tecnología NAND de 25 nm.
"La estrecha colaboración con los clientes es uno de los valores fundamentales de Micron y, a través de estos esfuerzos, estamos descubriendo buenas oportunidades de diseño del producto final para el almacenamiento flash NAND", dijo Glen Hawk, vicepresidente del NAND Solutions Group de Micron. "Nuestras oportunidades de innovar y crecer continúan con el proceso NAND de 20 nm, que le permite a Micron entregar soluciones de almacenamiento de estado sólido, rentables y con valor agregado a nuestros clientes", concluyó.
"Nuestro objetivo es permitir un acceso inmediato y asequible a la información del mundo", dijo Tom Rampone, vicepresidente y gerente general del Intel Non-Volatile Memory Solutions Group. "El liderazgo industrial en NAND le permite a Intel proporcionar la más alta calidad y las soluciones más rentables para nuestros clientes, generación tras generación. El proyecto de riesgo compartido Intel-Micron es un modelo para la industria manufacturera, pues seguimos liderando la industria en tecnología de proceso y hacemos transiciones rápidas de nuestra red completa de fábricas a litografías más y más pequeñas", comentó.
El dispositivo de 8GB en 20 nm es una muestra; se espera que entre en producción en en la segunda mitad de 2011. En ese momento Intel y Micron también esperan dar a conocer las muestras de un dispositivo de 16 GB, creando hasta 128 GBs de capacidad en una única solución de almacenamiento de estado sólido que es más pequeña que un sello de correos.
